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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.451085
10
¥6.085929
100
¥5.741443
500
¥5.416455
1000
¥5.109863
Infineon Technologies IPA60R400CEXKSA1
- 收藏
- 对比
IPA60R400CEXKSA1
1211-IPA60R400CEXKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
立即发货

MOSFET N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPA60R400CEXKSA1详情
Infineon Technologies IPA60R400CEXKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
质量
6.000006g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10.3A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
31W Tc
Turn Off Delay Time
56 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™ CE
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
400m Ω @ 3.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 300μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
700pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
32nC @ 10V
上升时间
9ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
10.3A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
漏极-源极导通最大电阻
0.4Ohm
漏源击穿电压
600V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPA60R400CEXKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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