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首页 全部分类 IPA65R650CEXKSA1 vs IPA60R650CEXKSA1

IPA65R650CEXKSA1备选型号: IPA60R650CEXKSA1

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  • 无铅
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  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    IPA65R650CEXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 650V TO-220FP-3
    18 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    6.000006g
    10V
    CoolMOS™ CE
    Tube
    -40°C~150°C TJ
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    1
    N-Channel
    650m Ω @ 2.1A, 10V
    3.5V @ 210μA
    无卤素
    440pF @ 100V
    23nC @ 10V
    ±20V
    7A
    650V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA60R650CEXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO-220-3
    18 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    2.299997g
    7A Tc
    CoolMOS™ CE
    Tube
    -40°C~150°C TJ
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    1
    N-Channel
    650m Ω @ 2.4A, 10V
    3.5V @ 200μA
    无卤素
    440pF @ 100V
    20.5nC @ 10V
    ±20V
    7A
    600V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    SILICON
    3
    Single
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    10 ns
    SWITCHING
    8ns
    11 ns
    TO-220AB
    20V
    0.65Ohm
    650V
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