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首页 全部分类 IPA65R650CEXKSA1 vs STF12N65M2

IPA65R650CEXKSA1备选型号: STF12N65M2

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  • 引脚数
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IPA65R650CEXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 650V TO-220FP-3
    18 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    6.000006g
    10V
    CoolMOS™ CE
    Tube
    -40°C~150°C TJ
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    1
    N-Channel
    650m Ω @ 2.1A, 10V
    3.5V @ 210μA
    无卤素
    440pF @ 100V
    23nC @ 10V
    ±20V
    7A
    650V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STF12N65M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
    16 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    -
    8A Tc
    MDmesh™ M2
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    未说明
    未说明
    -
    N-Channel
    500m Ω @ 4A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    535pF @ 100V
    16.5nC @ 10V
    ±25V
    8A
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    3
    SILICON
    3
    STF12
    Single
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    9 ns
    SWITCHING
    650V
    TO-220AB
    25V
    8A
    0.5Ohm
    650V
    250 mJ
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
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