STMicroelectronics STF12N65M2
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STF12N65M2
2381-STF12N65M2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
--最小包装量--
STF12N65M2详情
STMicroelectronics STF12N65M2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
25W Tc
Turn Off Delay Time
34 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ M2
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STF12
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
500m Ω @ 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
535pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16.5nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±25V
连续放电电流(ID)
8A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
25V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8A
漏极-源极导通最大电阻
0.5Ohm
DS 击穿电压-最小值
650V
雪崩能量等级(Eas)
250 mJ
高度
16.4mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STF12N65M2拓展信息
STMicroelectronics
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