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首页 全部分类 IPA80R1K4CEXKSA1 vs FQPF3N80CYDTU

IPA80R1K4CEXKSA1备选型号: FQPF3N80CYDTU

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    IPA80R1K4CEXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 800V 2.8A 3-Pin TO-220FP Tube
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    2.8A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ CE
    2015
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 2.3A, 10V
    3.9V @ 240μA
    570pF @ 100V
    23nC @ 10V
    15ns
    800V
    ±20V
    12 ns
    2.8A
    TO-220AB
    20V
    12A
    800V
    170 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQPF3N80CYDTU
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
    3
    -
    3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2007
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    4.8 Ω @ 1.5A, 10V
    5V @ 250μA
    705pF @ 25V
    16.5nC @ 10V
    43.5ns
    -
    ±30V
    32 ns
    3A
    -
    30V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2.565g
    800V
    3A
    Single
    39W
    800V
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