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IPA90R500C3备选型号: IPP90R500C3

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  • 包装
  • 系列
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon
    IPA90R500C3
    Infineon
    MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
    6 Weeks
    TO-220-3
    NO
    3
    1
    2008
    yes
    活跃
    3
    通孔
    150°C
    -55°C
    未说明
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    34W
    ISOLATED
    70 ns
    SWITCHING
    无卤素
    20ns
    900V
    N-CHANNEL
    25 ns
    11A
    TO-220AB
    20V
    900V
    24A
    900V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    500mOhm
    500 mΩ
    3 V
    1.7nF
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP90R500C3
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
    -
    TO-220-3
    NO
    3
    11A Tc
    2008
    yes
    Obsolete
    3
    通孔
    -
    -
    未说明
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    156W
    -
    70 ns
    SWITCHING
    无卤素
    20ns
    -
    -
    25 ns
    11A
    TO-220AB
    30V
    900V
    24A
    900V
    -
    -
    -
    3 V
    -
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    通孔
    SILICON
    3.5V @ 740μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    500m Ω @ 6.6A, 10V
    1700pF @ 100V
    68nC @ 10V
    ±20V
    0.5Ohm
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