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首页 全部分类 IPA90R500C3 vs SPA11N65C3XKSA1

IPA90R500C3备选型号: SPA11N65C3XKSA1

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  • 电容-输入
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  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon
    IPA90R500C3
    Infineon
    MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
    6 Weeks
    TO-220-3
    NO
    3
    1
    2008
    yes
    活跃
    3
    通孔
    150°C
    -55°C
    未说明
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    34W
    ISOLATED
    70 ns
    SWITCHING
    无卤素
    20ns
    900V
    N-CHANNEL
    25 ns
    11A
    TO-220AB
    20V
    900V
    24A
    900V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    500mOhm
    500 mΩ
    3 V
    1.7nF
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPA11N65C3XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
    8 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    NO
    3
    11A Tc
    2005
    yes
    不用于新设计
    3
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    -
    ISOLATED
    -
    SWITCHING
    -
    -
    650V
    -
    -
    -
    TO-220AB
    -
    -
    33A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    通孔
    SILICON
    3.9V @ 500μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    e3
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    380m Ω @ 7A, 10V
    1200pF @ 25V
    60nC @ 10V
    ±20V
    11A
    0.38Ohm
    650V
    340 mJ
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