IPA90R800C3备选型号: SPA06N60C3
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 终止次数
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 电压 - 阈值
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- 最大rds
- 电容-输入
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-36 WeeksTO-220-3NO312008yes活跃3150°C-55°CTHROUGH-HOLE未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET33WISOLATED70 ns3VSWITCHING无卤素20ns900VN-CHANNEL32 ns6.9ATO-220AB20V900V15A157 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR800mOhm800 mΩ1.1nF无SVHC符合RoHS标准无铅---
- Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP Tube-TO-220-3NO31-yes-3150°C-55°CTHROUGH-HOLE未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET32WISOLATED7 ns3VSWITCHING无卤素12ns650VN-CHANNEL10 ns6.2ATO-220AB20V650V18.6A200 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR750mOhm750 mΩ620pF无SVHC符合RoHS标准无铅雪崩 额定650V6.2A
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STF11N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | STMICROELECTRONICS STF11N65M2 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
![]() | STP11N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | STMICROELECTRONICS STP11N65M2 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
![]() | SPA07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 | 对比 |







哦! 它是空的。