STMicroelectronics STF11N65M2
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STF11N65M2
2381-STF11N65M2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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STMICROELECTRONICS STF11N65M2 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V
--最小包装量--
STF11N65M2详情
STMicroelectronics STF11N65M2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
质量
329.988449mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
25W Tc
Turn Off Delay Time
26 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ II Plus
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
600mOhm
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STF11
通道数量
1
接通延迟时间
9.5 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
670m Ω @ 3.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
410pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12.5nC @ 10V
上升时间
7.5ns
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
7A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
650V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STF11N65M2拓展信息
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