您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IPA90R800C3 vs STP11N65M2

IPA90R800C3备选型号: STP11N65M2

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 终止次数
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 电压 - 阈值
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 电容-输入
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 质量
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • Infineon
    IPA90R800C3
    Infineon
    MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3
    6 Weeks
    TO-220-3
    NO
    3
    1
    2008
    yes
    活跃
    3
    150°C
    -55°C
    THROUGH-HOLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    33W
    ISOLATED
    70 ns
    3V
    SWITCHING
    无卤素
    20ns
    900V
    N-CHANNEL
    32 ns
    6.9A
    TO-220AB
    20V
    900V
    15A
    157 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    800mOhm
    800 mΩ
    1.1nF
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP11N65M2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STP11N65M2 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V
    16 Weeks
    TO-220-3
    -
    3
    7A Tc
    -
    -
    活跃
    -
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    9.5 ns
    -
    -
    -
    7.5ns
    -
    -
    15 ns
    7A
    -
    25V
    650V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    通孔
    通孔
    329.988449mg
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II Plus
    1 (Unlimited)
    EAR99
    STP11N
    1
    N-Channel
    670m Ω @ 3.5A, 10V
    4V @ 250μA
    410pF @ 100V
    12.5nC @ 10V
    ±25V
    3V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
SPA06N60C3 SPA06N60C3 Infineon 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP Tube 对比
STP11N65M2 STP11N65M2 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 STMICROELECTRONICS STP11N65M2 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V 对比
SPA07N60C3XKSA1 SPA07N60C3XKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 Full Pack MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 对比