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首页 全部分类 IPA90R800C3 vs SPA07N60C3XKSA1

IPA90R800C3备选型号: SPA07N60C3XKSA1

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  • 配置
  • 场效应管类型
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  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon
    IPA90R800C3
    Infineon
    MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3
    6 Weeks
    TO-220-3
    NO
    3
    1
    2008
    yes
    活跃
    3
    150°C
    -55°C
    THROUGH-HOLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    33W
    ISOLATED
    70 ns
    3V
    SWITCHING
    无卤素
    20ns
    900V
    N-CHANNEL
    32 ns
    6.9A
    TO-220AB
    20V
    900V
    15A
    157 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    800mOhm
    800 mΩ
    1.1nF
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPA07N60C3XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
    -
    TO-220-3 Full Pack
    NO
    -
    7.3A Tc
    2005
    yes
    不用于新设计
    3
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    -
    ISOLATED
    -
    -
    SWITCHING
    -
    -
    650V
    -
    -
    -
    TO-220AB
    -
    -
    21.9A
    230 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    通孔
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    e3
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    600m Ω @ 4.6A, 10V
    3.9V @ 250μA
    790pF @ 25V
    27nC @ 10V
    ±20V
    7.3A
    0.6Ohm
    600V
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