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IPB055N03LGATMA1备选型号: FDB6670AL
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 质量
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 元素配置
- 漏源击穿电压
- 无铅
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-26312 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON50A Tc2.2V @ 250μA2008-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™e3noObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLESINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET68WDRAIN6.7 nsN-ChannelSWITCHING5.5m Ω @ 30A, 10V3200pF @ 15V31nC @ 10V5.2ns30V±20V4 ns50A20V0.0078Ohm60 mJ无SVHCROHS3 Compliant------
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-80A Ta3V @ 250μA2012-65°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®-yesObsolete1 (Unlimited)------------68W--N-Channel-6.5m Ω @ 40A, 10V2440pF @ 15V33nC @ 5V13ns-±20V15 ns80A20V---符合RoHS标准1.31247g6.5MOhm30VSingle30V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF3707ZSPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK | 对比 |
| FDB8896 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB | 对比 |
| FDB6670AL | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 对比 |
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