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IPB45N06S409ATMA2备选型号: AUIRFS3806
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 触点镀层
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.946308gSILICON45A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2009e3yesObsolete1 (Unlimited)2Tin (Sn)鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G21Single增强型MOSFET15 nsN-Channel9.4m Ω @ 45A, 10V4V @ 34μA3785pF @ 25V47nC @ 10V40ns±20V5 ns45A20V60V97 mJ4.4mm10mm9.25mmROHS3 Compliant------------- MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-SILICON43A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2011e3-Discontinued1 (Unlimited)2-鸥翼260-30R-PSSO-G2--增强型MOSFET6.3 nsN-Channel15.8m Ω @ 25A, 10V4V @ 50μA1150pF @ 50V30nC @ 10V40ns±20V47 ns43A20V--4.83mm10.67mm9.65mmROHS3 CompliantTinEAR99AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCESINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE71WDRAINSWITCHING2V60V无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB20AN06A0 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB | 对比 |
| AUIRFS3806 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK | 对比 |
| HUFA75329S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK | 对比 |
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