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IPB60R160C6ATMA1备选型号: IPB60R165CPATMA1
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- 底架
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- 引脚数
- 晶体管元件材料
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- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- JESD-30代码
- 上升时间
- 辐射硬化
Single N-Channel 600 V 160 mOhm 75 nC CoolMOS? Power Mosfet - D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB2SILICON23.8A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™2008e3no不用于新设计1 (Unlimited)2Tin (Sn)SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET176WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING160m Ω @ 11.3A, 10V3.5V @ 750μA无卤素1660pF @ 100V75nC @ 10V±20V8 ns23.8A20V600V70A497 mJROHS3 Compliant含铅------- Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(2 Tab) TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON21A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™2008-no不用于新设计1 (Unlimited)2-SINGLE鸥翼---4-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET192WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING165m Ω @ 12A, 10V3.5V @ 790μA无卤素2000pF @ 100V52nC @ 10V±20V5 ns21A20V600V-522 mJROHS3 Compliant含铅40 Weeks600V21AR-PSSO-G25ns无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R125CPATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
 | STB28NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK | 对比 |
| IPB60R165CPATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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