您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IPB60R160C6ATMA1 vs STB28NM50N

IPB60R160C6ATMA1备选型号: STB28NM50N

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 上升时间
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPB60R160C6ATMA1
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 600 V 160 mOhm 75 nC CoolMOS? Power Mosfet - D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    2
    SILICON
    23.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2008
    e3
    no
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    176W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    160m Ω @ 11.3A, 10V
    3.5V @ 750μA
    无卤素
    1660pF @ 100V
    75nC @ 10V
    ±20V
    8 ns
    23.8A
    20V
    600V
    70A
    497 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STB28NM50N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    21A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ II
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    鸥翼
    245
    -
    30
    4
    -
    -
    增强型MOSFET
    150W
    -
    13.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    158m Ω @ 10.5A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    1735pF @ 25V
    50nC @ 10V
    ±25V
    52 ns
    21A
    25V
    -
    84A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    26 Weeks
    Tin
    EAR99
    135mOhm
    STB28N
    R-PSSO-G2
    Single
    19ns
    3V
    500V
    4.6mm
    10.75mm
    10.4mm
    无SVHC
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPB60R125CPATMA1 IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(2 Tab) TO-263 对比
STB28NM50N STB28NM50N STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK 对比
IPB60R165CPATMA1 IPB60R165CPATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(2 Tab) TO-263 对比