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首页 全部分类 IPB64N25S320ATMA1 vs IPB17N25S3100ATMA1

IPB64N25S320ATMA1备选型号: IPB17N25S3100ATMA1

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IPB64N25S320ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    PG-TO263-3-2
    64A Tc
    4V @ 270μA
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    OptiMOS™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    18 ns
    N-Channel
    20mOhm @ 64A, 10V
    无卤素
    7000pF @ 25V
    89nC @ 10V
    20ns
    250V
    ±20V
    12 ns
    64A
    20V
    250V
    7nF
    17.5mOhm
    20 mΩ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB17N25S3100ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    PG-TO263-3-2
    17A Tc
    4V @ 54μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    4.4 ns
    N-Channel
    100mOhm @ 17A, 10V
    无卤素
    1500pF @ 25V
    19nC @ 10V
    3.7ns
    250V
    ±20V
    1.2 ns
    17A
    20V
    250V
    1.133nF
    85mOhm
    100 mΩ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    1
    Single
    107W
    250V
    175°C
    4.7mm
    10mm
    9.25mm
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AUIRFS4127 AUIRFS4127 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET NCH 200V 72A D2PAK 对比