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首页 全部分类 IPB65R190CFDAATMA1 vs IPB65R150CFDAATMA1

IPB65R190CFDAATMA1备选型号: IPB65R150CFDAATMA1

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPB65R190CFDAATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH TO263-3
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    D2PAK (TO-263AB)
    17.5A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    N-Channel
    190mOhm @ 7.3A, 10V
    4.5V @ 700μA
    无卤素
    1850pF @ 100V
    68nC @ 10V
    650V
    ±20V
    17.5A
    650V
    1.85nF
    190 mΩ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB65R150CFDAATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH TO263-3
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    22.4A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    150m Ω @ 9.3A, 10V
    4.5V @ 900μA
    无卤素
    2340pF @ 100V
    86nC @ 10V
    -
    ±20V
    22.4A
    650V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    SILICON
    e3
    no
    2
    Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.15Ohm
    72A
    614 mJ
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