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首页 全部分类 IPD50N06S2L13ATMA2 vs DMT6009LK3-13

IPD50N06S2L13ATMA2备选型号: DMT6009LK3-13

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    IPD50N06S2L13ATMA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    50A Tc
    2V @ 80μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2002
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    12.7m Ω @ 34A, 10V
    1800pF @ 25V
    69nC @ 10V
    ±20V
    50A
    55V
    0.0167Ohm
    200A
    240 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMT6009LK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    1
    2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2015
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    10m Ω @ 13.5A, 10V
    1925pF @ 30V
    33.5nC @ 10V
    ±16V
    57A
    -
    0.01Ohm
    90A
    20.6 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    e3
    Matte Tin (Sn)
    SWITCHING
    60V
    13.3A
    60V
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