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IPD50N06S2L13ATMA2备选型号: IRFR48ZPBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-310 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON50A Tc2V @ 80μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2002yes活跃1 (Unlimited)2EAR99ULTRA-LOW RESISTANCESINGLE鸥翼未说明未说明AEC-Q101R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel12.7m Ω @ 34A, 10V1800pF @ 25V69nC @ 10V±20V50A55V0.0167Ohm200A240 mJnot_compliantROHS3 Compliant--------------------
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK15 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-42A Tc4V @ 50μA-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004-Discontinued1 (Unlimited)-EAR99----------N-Channel11m Ω @ 37A, 10V1720pF @ 25V60nC @ 10V±20V42A----无SVHCROHS3 CompliantSMD/SMT11MOhm55V62ASingle91W15 ns61ns35 ns4V20V55V55V40 ns4 V2.3876mm10.3886mm6.73mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFR48ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 对比 |
 | NTDV5805NT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 40V 51A DPAK | 对比 |
 | DMT6009LK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252 | 对比 |
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