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首页 全部分类 IPD50N06S4L08ATMA2 vs DMT6009LK3-13

IPD50N06S4L08ATMA2备选型号: DMT6009LK3-13

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  • 参考标准
  • JESD-30代码
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  • 箱体转运
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPD50N06S4L08ATMA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    PG-TO252-3-11
    3.949996g
    50A Tc
    2.2V @ 35μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    1
    9 ns
    N-Channel
    7.8mOhm @ 50A, 10V
    无卤素
    4780pF @ 25V
    64nC @ 10V
    2ns
    60V
    ±16V
    8 ns
    50A
    16V
    60V
    4.78nF
    7.8 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMT6009LK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    -
    1
    2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    10m Ω @ 13.5A, 10V
    -
    1925pF @ 30V
    33.5nC @ 10V
    -
    60V
    ±16V
    -
    57A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    e3
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    13.3A
    0.01Ohm
    90A
    60V
    20.6 mJ
    not_compliant
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