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首页 全部分类 IPD50R2K0CEBTMA1 vs IPD50R1K4CEAUMA1

IPD50R2K0CEBTMA1备选型号: IPD50R1K4CEAUMA1

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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 安装类型
  • 操作温度
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    IPD50R2K0CEBTMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2
    6 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3
    3
    3.949996g
    21 ns
    Tape & Reel (TR)
    2013
    no
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    EAR99
    150°C
    -55°C
    22W
    未说明
    未说明
    1
    Single
    6 ns
    5ns
    500V
    N-CHANNEL
    38 ns
    2.4A
    30V
    124pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    2Ohm
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50R1K4CEAUMA1
    Infineon Technologies
    On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 3.1 A, 550 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD50R1K4CEBTMA1
    18 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    3.1A Tc
    Tape & Reel (TR)
    2008
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    6.5 ns
    6ns
    500V
    -
    30 ns
    3.1A
    30V
    -
    -
    -
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    -55°C~150°C TJ
    CoolMOS™ CE
    e3
    Tin (Sn)
    not_compliant
    25W
    N-Channel
    1.4 Ω @ 900mA, 13V
    3.5V @ 70μA
    178pF @ 100V
    8.2nC @ 10V
    ±20V
    550V
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