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首页 全部分类 IPD50R3K0CEAUMA1 vs IPD50R1K4CEAUMA1

IPD50R3K0CEAUMA1备选型号: IPD50R1K4CEAUMA1

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  • 雪崩能量等级（Eas）
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  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IPD50R3K0CEAUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
    18 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    26W Tc
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2013
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    3 Ω @ 400mA, 13V
    3.5V @ 30μA
    无卤素
    84pF @ 100V
    4.3nC @ 10V
    ±20V
    1.7A
    500V
    3Ohm
    4.1A
    18 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50R1K4CEAUMA1
    Infineon Technologies
    On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 3.1 A, 550 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD50R1K4CEBTMA1
    18 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    -
    3.1A Tc
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2008
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    not_compliant
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    1.4 Ω @ 900mA, 13V
    3.5V @ 70μA
    -
    178pF @ 100V
    8.2nC @ 10V
    ±20V
    3.1A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    Single
    25W
    6.5 ns
    6ns
    500V
    30 ns
    30V
    550V
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
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