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首页 全部分类 IPD50R500CEATMA1 vs IPD60R460CEATMA1

IPD50R500CEATMA1备选型号: IPD60R460CEATMA1

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
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  • RoHS状态
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IPD50R500CEATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 500V 24A DPAK-2
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    PG-TO252-3
    3.949996g
    7.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2013
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    150°C
    -55°C
    1
    Single
    57W
    6 ns
    N-Channel
    500mOhm @ 2.3A, 13V
    3.5V @ 200μA
    433pF @ 100V
    18.7nC @ 10V
    5ns
    500V
    ±20V
    12 ns
    7.6A
    20V
    433pF
    500mOhm
    500 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R460CEATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 600V 9.1A DPAK-2
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    3.949996g
    9.1A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2014
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -
    -
    1
    Single
    -
    11 ns
    N-Channel
    460m Ω @ 3.4A, 10V
    3.5V @ 280μA
    620pF @ 100V
    28nC @ 10V
    9ns
    600V
    ±20V
    10 ns
    9.1A
    20V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    SILICON
    yes
    2
    EAR99
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.46Ohm
    26A
    600V
    无铅
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