Infineon Technologies IPD50R500CEATMA1
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IPD50R500CEATMA1
1211-IPD50R500CEATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-Ch 500V 24A DPAK-2
1最小包装量--
IPD50R500CEATMA1详情
Infineon Technologies IPD50R500CEATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO252-3
质量
3.949996g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.6A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
57W Tc
Turn Off Delay Time
30 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™ CE
已出版
2013
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
57W
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
500mOhm @ 2.3A, 13V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 200μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
433pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18.7nC @ 10V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
7.6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
433pF
漏源电阻
500mOhm
最大rds
500 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPD50R500CEATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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