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首页 全部分类 IPD50R950CEATMA1 vs IPD50R1K4CEAUMA1

IPD50R950CEATMA1备选型号: IPD50R1K4CEAUMA1

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IPD50R950CEATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    4.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2013
    yes
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    950m Ω @ 1.2A, 13V
    3.5V @ 100μA
    231pF @ 100V
    10.5nC @ 10V
    500V
    ±20V
    4.3A
    0.95Ohm
    12.8A
    500V
    68 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50R1K4CEAUMA1
    Infineon Technologies
    On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 3.1 A, 550 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD50R1K4CEBTMA1
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3.1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2008
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    1.4 Ω @ 900mA, 13V
    3.5V @ 70μA
    178pF @ 100V
    8.2nC @ 10V
    500V
    ±20V
    3.1A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    18 Weeks
    3
    e3
    Tin (Sn)
    not_compliant
    Single
    25W
    6.5 ns
    6ns
    30 ns
    30V
    550V
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
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