IPD60R800CEAUMA1备选型号: IPD60R1K0CEAUMA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 无卤素
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- JEDEC-95代码
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- RoHS状态
- 无铅
- INFINEON - IPD60R800CEAUMA1 - MOSFET, N-CH, 600V, 8.4A, TO-25218 Weeks表面贴装1Tape & Reel (TR)2008e3yes活跃3 (168 Hours)2EAR99Tin (Sn)150°C-40°CSINGLE鸥翼not_compliantR-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING无卤素600VN-CHANNELTO-252600V15.7A72 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR680mOhmROHS3 Compliant含铅
- On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 6.8 A, 650 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD60R1K0CEAUMA118 Weeks表面贴装1Tape & Reel (TR)2008-yes活跃3 (168 Hours)2EAR99-150°C-40°CSINGLE鸥翼-R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING无卤素600VN-CHANNELTO-252600V12A46 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR860mOhmROHS3 Compliant含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 6.8 A, 650 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD60R1K0CEAUMA1 | 对比 | |
![]() | BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
![]() | IPN60R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-223-3 | MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223 | 对比 |






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