IPD60R800CEAUMA1备选型号: IPD60R1K0CEAUMA1

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  • JESD-30代码
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • JEDEC-95代码
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    INFINEON - IPD60R800CEAUMA1 - MOSFET, N-CH, 600V, 8.4A, TO-252
    18 Weeks
    表面贴装
    1
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -40°C
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    600V
    N-CHANNEL
    TO-252
    600V
    15.7A
    72 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    680mOhm
    ROHS3 Compliant
    含铅
  • Infineon Technologies
    On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 6.8 A, 650 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD60R1K0CEAUMA1
    18 Weeks
    表面贴装
    1
    Tape & Reel (TR)
    2008
    -
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    -
    150°C
    -40°C
    SINGLE
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    600V
    N-CHANNEL
    TO-252
    600V
    12A
    46 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    860mOhm
    ROHS3 Compliant
    含铅
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