IPD65R1K4CFDBTMA1备选型号: SPD03N50C3ATMA1
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
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- 电压 - 额定直流
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- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- Trans MOSFET N-CH 700V 2.8A T/R16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6332.8A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)CoolMOS™2003no最后一次购买1 (Unlimited)EAR998 nsN-Channel1.4 Ω @ 1A, 10V4.5V @ 100μA262pF @ 100V10nC @ 10V6ns±20V18.2 ns2.8A20V650V700VROHS3 Compliant----------
- Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-2528 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6333.2A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™2005-不用于新设计1 (Unlimited)-10 nsN-Channel1.4Ohm @ 2A, 10V3.9V @ 135μA350pF @ 25V15nC @ 10V5ns±20V15 ns3.2A20V500V-ROHS3 CompliantPG-TO252-3-1150°C-55°C560V3.2A38W500V350pF1.25Ohm1.4 Ω
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD5N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |
![]() | SPD03N60S5BTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
![]() | IPD60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-Ch 600V 3.1A DPAK-2 | 对比 |





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