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首页 全部分类 IPG20N04S4L07AATMA1 vs AUIRL7732S2TR

IPG20N04S4L07AATMA1备选型号: AUIRL7732S2TR

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 场效应管特性
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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPG20N04S4L07AATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8
    12 Weeks
    表面贴装
    Surface Mount, Wettable Flank
    8-PowerVDFN
    8
    50 ns
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    65W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Dual
    65W
    2 N-Channel (Dual)
    7.2m Ω @ 17A, 10V
    2.2V @ 30μA
    无卤素
    3980pF @ 25V
    50nC @ 10V
    4ns
    25 ns
    20A
    16V
    40V
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRL7732S2TR
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SC
    7
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    6.6m Ω @ 35A, 10V
    -
    -
    2020pF @ 25V
    33nC @ 4.5V
    123ns
    37 ns
    14A
    16V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    2.5V @ 50μA
    3
    HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.2W
    DRAIN
    21 ns
    SWITCHING
    ±16V
    1.8V
    58A
    0.0066Ohm
    40V
    230A
    无SVHC
    无
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