IPG20N04S4L07AATMA1
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Infineon Technologies IPG20N04S4L07AATMA1

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型号

IPG20N04S4L07AATMA1

utmel 编号

1211-IPG20N04S4L07AATMA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerVDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8

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IPG20N04S4L07AATMA1
IPG20N04S4L07AATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8

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IPG20N04S4L07AATMA1详情

Infineon Technologies IPG20N04S4L07AATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    Surface Mount, Wettable Flank

  • 包装/外壳

    8-PowerVDFN

  • 引脚数

    8

  • Turn Off Delay Time

    50 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    65W

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 元素配置

    Dual

  • 功率 - 最大

    65W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    7.2m Ω @ 17A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.2V @ 30μA

  • 无卤素

    无卤素

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    3980pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    50nC @ 10V

  • 上升时间

    4ns

  • 下降时间(典型值)

    25 ns

  • 连续放电电流(ID)

    20A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    16V

  • 最大双电源电压

    40V

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    含铅

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右边的3个型号有着和Infineon Technologies & IPG20N04S4L07AATMA1相似的参数规格。

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IPG20N04S4L07AATMA1拓展信息

IRF7306TRPBF
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Infineon Technologies

BSD235CH6327XTSA1
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IPG20N06S4L11ATMA1
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Infineon Technologies

IRF7324TRPBF
IRF7324TRPBF

Infineon Technologies

IRF7380TRPBF
IRF7380TRPBF

Infineon Technologies

IRF9952TRPBF
IRF9952TRPBF

Infineon Technologies

IRF7101TRPBF
IRF7101TRPBF

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IRF7907TRPBF
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Infineon Technologies

IRF7319TRPBF
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IRF7351TRPBF
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