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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥14.206663
10
¥13.402515
100
¥12.643882
500
¥11.928187
1000
¥11.25301
Infineon Technologies IPG20N04S4L07AATMA1
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- 对比
IPG20N04S4L07AATMA1
1211-IPG20N04S4L07AATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerVDFN
大陆
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MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPG20N04S4L07AATMA1详情
Infineon Technologies IPG20N04S4L07AATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
Surface Mount, Wettable Flank
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
Turn Off Delay Time
50 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
65W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Dual
功率 - 最大
65W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.2m Ω @ 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 30μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3980pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50nC @ 10V
上升时间
4ns
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
20A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
最大双电源电压
40V
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPG20N04S4L07AATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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