您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IPG20N06S415ATMA1 vs DMP6023LE-13

IPG20N06S415ATMA1备选型号: DMP6023LE-13

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电容量
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPG20N06S415ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 20A
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2010
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    50W
    FLAT
    未说明
    未说明
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    12 ns
    50W
    2 N-Channel (Dual)
    15.5m Ω @ 17A, 10V
    4V @ 20μA
    2260pF @ 25V
    29nC @ 10V
    2ns
    9 ns
    20A
    20V
    60V
    0.0155Ohm
    90 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP6023LE-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 60V 7A SOT223
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    -
    SILICON
    7A Ta 18.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    鸥翼
    260
    30
    -
    增强型MOSFET
    6 ns
    -
    P-Channel
    28m Ω @ 5A, 10V
    -
    2569pF @ 30V
    53.1nC @ 10V
    7.1ns
    62 ns
    18.2A
    20V
    -
    0.028Ohm
    62.9 mJ
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    22 Weeks
    188.014037mg
    3V @ 250μA
    e3
    Matte Tin (Sn) - annealed
    HIGH RELIABILITY
    2.569nF
    DUAL
    R-PDSO-G4
    1
    Single
    DRAIN
    SWITCHING
    60V
    ±20V
    7A
    -60V
    50A
    150°C
    1.8mm
    6.5mm
    3.5mm
    not_compliant
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMP6023LE-13 DMP6023LE-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 对比
STD20NF06T4 STD20NF06T4 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R 对比