IPG20N06S415ATMA1备选型号: STD20NF06T4
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 触点镀层
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 宽度
- 长度
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- Trans MOSFET N-CH 60V 20A表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2010Discontinued1 (Unlimited)8EAR9950WFLAT未说明未说明SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET12 ns50W2 N-Channel (Dual)15.5m Ω @ 17A, 10V4V @ 20μA2260pF @ 25V29nC @ 10V2ns9 ns20A20V60V0.0155Ohm90 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant------------------------
- Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON60W Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ II-活跃1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼26030-增强型MOSFET10 ns-N-Channel40m Ω @ 12A, 10V-690pF @ 25V31nC @ 10V30ns8 ns24A20V-----ROHS3 CompliantTin4V @ 250μAe3yes40mOhm60V24ASTD20NR-PSSO-G2Single60WDRAINSWITCHING±20V4VTO-252AA60V96A6.2mm6.6mm2.4mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP6023LE-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 | 对比 |
![]() | STD20NF06T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |





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