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首页 全部分类 IPG20N06S4L14ATMA2 vs DMNH6022SSDQ-13

IPG20N06S4L14ATMA2备选型号: DMNH6022SSDQ-13

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  • 场效应管技术
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  • 场效应管特性
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  • 宽度
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  • JESD-30代码
  • 配置
  • 晶体管应用
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    IPG20N06S4L14ATMA2
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 8TDSON
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    1997
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    逻辑电平兼容
    50W
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    50W
    8 ns
    2 N-Channel (Dual)
    13.7m Ω @ 17A, 10V
    2.2V @ 20μA
    无卤素
    2890pF @ 25V
    39nC @ 10V
    2ns
    15 ns
    20A
    16V
    60V
    0.0137Ohm
    60V
    90 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    175°C
    逻辑电平门
    1mm
    5.15mm
    6.15mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMNH6022SSDQ-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    SILICON
    7.1A 22.6A
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    HIGH RELIABILITY
    1.5W
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    27m Ω @ 5A, 10V
    3V @ 250μA
    -
    2127pF @ 25V
    32nC @ 30V
    -
    -
    22.6A
    -
    -
    0.03Ohm
    -
    24 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    Standard
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    R-PDSO-G8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    SWITCHING
    60V
    7.1A
    45A
    60V
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