Infineon Technologies IPG20N06S4L14ATMA2

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

已出版

1997

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

附加功能

逻辑电平兼容

最大功率耗散

50W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

13.7m Ω @ 17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 20μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2890pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39nC @ 10V

上升时间

2ns

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

20A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大双电源电压

60V

漏极-源极导通最大电阻

0.0137Ohm

漏源击穿电压

60V

雪崩能量等级（Eas）

90 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

175°C

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1mm

长度

5.15mm

宽度

6.15mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant