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首页 全部分类 IPL65R1K5C6SATMA1 vs IPD50R1K4CEAUMA1

IPL65R1K5C6SATMA1备选型号: IPD50R1K4CEAUMA1

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • Infineon Technologies
    IPL65R1K5C6SATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    75.891673mg
    SILICON
    3A Tc
    3.5V @ 100μA
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C6
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    R-PDSO-N5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 1A, 10V
    无卤素
    225pF @ 100V
    11nC @ 10V
    5.9ns
    ±20V
    18.2 ns
    3A
    30V
    650V
    650V
    26 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50R1K4CEAUMA1
    Infineon Technologies
    On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 3.1 A, 550 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD50R1K4CEBTMA1
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    -
    23 ns
    3.5V @ 70μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2008
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    6.5 ns
    N-Channel
    -
    1.4 Ω @ 900mA, 13V
    -
    178pF @ 100V
    8.2nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    30 ns
    3.1A
    30V
    -
    550V
    -
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    -
    yes
    EAR99
    25W
    500V
    6.22mm
    6.73mm
    2.41mm
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