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IPN50R2K0CEATMA1备选型号: IPN50R1K4CEATMA1

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Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
操作温度
包装
系列
已出版
JESD-609代码
无铅代码
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
ECCN 代码
端子表面处理
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
阈值电压
达到SVHC
RoHS状态

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

INFINEON IPN50R2K0CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 3.6 A, 500 V, 1.8 ohm, 13 V, 3 VNew

18 Weeks
表面贴装
SOT-223-3
3
3.6A Tc
3.5V @ 50μA
-40°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
CoolMOS™ CE
2013
e3
yes
活跃
3 (168 Hours)
EAR99
Tin (Sn)
N-Channel
2 Ω @ 600mA, 13V
124pF @ 100V
6nC @ 10V
500V
±20V
3.6A
3V
无SVHC
ROHS3 Compliant
IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

INFINEON IPN50R1K4CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 4.8 A, 500 V, 1.26 ohm, 13 V, 3 VNew

18 Weeks
表面贴装
SOT-223-3
3
4.8A Tc
3.5V @ 70μA
-40°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
CoolMOS™ CE
2013
e3
yes
活跃
1 (Unlimited)
EAR99
Tin (Sn)
N-Channel
1.4 Ω @ 900mA, 13V
178pF @ 100V
8.2nC @ 10V
500V
±20V
4.8A
3V
无SVHC
ROHS3 Compliant
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