Infineon Technologies IPN50R2K0CEATMA1
- 收藏
- 对比
IPN50R2K0CEATMA1
1211-IPN50R2K0CEATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-223-3
大陆
立即发货

INFINEON IPN50R2K0CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 3.6 A, 500 V, 1.8 ohm, 13 V, 3 VNew
--最小包装量--
IPN50R2K0CEATMA1详情
Infineon Technologies IPN50R2K0CEATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-223-3
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.6A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Power Dissipation (Max)
5W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.5V @ 50μA
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™ CE
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2 Ω @ 600mA, 13V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
124pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
3.6A
阈值电压
3V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPN50R2K0CEATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。