IPN50R2K0CEATMA1备选型号: STN1NK60Z
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 底架
- 质量
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 宽度
- 高度
- 长度
- 辐射硬化
- 无铅
- INFINEON IPN50R2K0CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 3.6 A, 500 V, 1.8 ohm, 13 V, 3 VNew18 Weeks表面贴装SOT-223-333.6A Tc3.5V @ 50μA-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ CE2013e3yes活跃3 (168 Hours)EAR99Tin (Sn)N-Channel2 Ω @ 600mA, 13V124pF @ 100V6nC @ 10V500V±20V3.6A3V无SVHCROHS3 Compliant------------------------------
- Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R8 Weeks表面贴装TO-261-4, TO-261AA413 ns4.5V @ 50μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperMESH™-e3-ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn) - annealedN-Channel15 Ω @ 400mA, 10V94pF @ 25V6.9nC @ 10V-±30V300mA3.75V无SVHCROHS3 Compliant表面贴装4.535924gSILICON415Ohm600VDUAL鸥翼260250mA30STN1N1Single增强型MOSFET3.3WDRAIN5.5 nsSWITCHING5ns18 ns30V0.25A600V150°C3.5mm1.9mm6.5mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STN1NK60Z | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
![]() | IPN50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-3 | INFINEON IPN50R950CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 6.6 A, 500 V, 0.86 ohm, 13 V, 3 VNew | 对比 |
![]() | IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-223-3 | INFINEON IPN50R1K4CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 4.8 A, 500 V, 1.26 ohm, 13 V, 3 VNew | 对比 |




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