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IPN65R1K5CEATMA1备选型号: STN1HNK60
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- RoHS状态
- 达到SVHC
- 底架
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
CONSUMER18 WeeksTO-261-3表面贴装33.5V @ 100μA5W Tc2013CoolMOS™ CETape & Reel (TR)-40°C~150°C TJe3yes活跃3 (168 Hours)EAR99Tin (Sn)N-Channel1.5 Ω @ 1A, 10V225pF @ 100V10.5nC @ 10V650V±20V5.2A3VROHS3 Compliantnot_compliant--------------------------------
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT2238 WeeksTO-261-4, TO-261AA表面贴装33.7V @ 250μA400mA Tc-SuperMESH™Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3-ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn) - annealedN-Channel8.5 Ω @ 500mA, 10V156pF @ 25V10nC @ 10V-±30V500mA3VROHS3 Compliant无SVHC表面贴装SILICON48.5Ohm600VDUAL鸥翼260400mA30STN1HR-PDSO-G41Single增强型MOSFET3.3WDRAIN6.5 nsSWITCHING5ns25 ns30V0.4A600V25 mJ150°C3 V1.82mm6.5mm3.5mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-223-3 | INFINEON IPN60R1K5CEATMA1 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 600 V, 1.35 ohm, 10 V, 3 VNew | 对比 |
| IPN50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-3 | INFINEON IPN50R950CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 6.6 A, 500 V, 0.86 ohm, 13 V, 3 VNew | 对比 |
| IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-223-3 | INFINEON IPN50R1K4CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 4.8 A, 500 V, 1.26 ohm, 13 V, 3 VNew | 对比 |
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