STMicroelectronics STN1HNK60

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

400mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.3W Tc

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SuperMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

8.5Ohm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

电压 - 额定直流

600V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

400mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STN1H

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.3W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.5 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.7V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

156pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 10V

上升时间

5ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

500mA

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.4A

漏源击穿电压

600V

雪崩能量等级（Eas）

25 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

3 V

高度

1.82mm

长度

6.5mm

宽度

3.5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅