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首页 全部分类 IPP100N06S2L05AKSA2 vs FDPF041N06BL1

IPP100N06S2L05AKSA2备选型号: FDPF041N06BL1

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 质量
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • JESD-30代码
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    IPP100N06S2L05AKSA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    IPP100N06S2L-05
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    1999
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    18 ns
    N-Channel
    4.7m Ω @ 80A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    5660pF @ 25V
    230nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    24 ns
    100A
    TO-220AB
    20V
    55V
    0.0059Ohm
    55V
    400A
    810 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDPF041N06BL1
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 77A TO-220F
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    SILICON
    -
    77A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Single
    增强型MOSFET
    -
    29 ns
    N-Channel
    4.1m Ω @ 77A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    5690pF @ 30V
    69nC @ 10V
    22ns
    ±20V
    11 ns
    77A
    TO-220AB
    20V
    -
    0.0041Ohm
    -
    308A
    365 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    2.27g
    EAR99
    8541.29.00.95
    R-PSFM-T3
    ISOLATED
    SWITCHING
    60V
    60V
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