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首页 全部分类 IPP100N06S2L05AKSA2 vs IRFB7540PBF

IPP100N06S2L05AKSA2备选型号: IRFB7540PBF

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 通道数量
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPP100N06S2L05AKSA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    IPP100N06S2L-05
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    1999
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    18 ns
    N-Channel
    4.7m Ω @ 80A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    5660pF @ 25V
    230nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    24 ns
    100A
    TO-220AB
    20V
    55V
    0.0059Ohm
    55V
    400A
    810 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB7540PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    -
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2008
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    Single
    增强型MOSFET
    -
    12 ns
    N-Channel
    5.1m Ω @ 65A, 10V
    3.7V @ 100μA
    -
    4555pF @ 25V
    130nC @ 10V
    76ns
    ±20V
    56 ns
    110A
    TO-220AB
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    6.000006g
    EAR99
    1
    SWITCHING
    60V
    3.7V
    60V
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
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