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首页 全部分类 IPP50R250CPXKSA1 vs IPP50R299CPXKSA1

IPP50R250CPXKSA1备选型号: IPP50R299CPXKSA1

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  • 场效应管技术
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  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 端子位置
  • 配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPP50R250CPXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB
    40 Weeks
    通孔
    TO-220
    3
    1
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    114W
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    114W
    ISOLATED
    35 ns
    SWITCHING
    无卤素
    14ns
    500V
    N-CHANNEL
    11 ns
    13A
    20V
    500V
    500V
    1.42nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    250mOhm
    250 mΩ
    15.95mm
    10.36mm
    4.57mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP50R299CPXKSA1
    Infineon Technologies
    INFINEON - IPP50R299CP - MOSFET, N, TO-220
    12 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    3
    12A Tc
    2008
    e3
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    104W
    ISOLATED
    35 ns
    SWITCHING
    无卤素
    14ns
    550V
    -
    12 ns
    12A
    20V
    500V
    500V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    299m Ω @ 6.6A, 10V
    3.5V @ 440μA
    1190pF @ 100V
    31nC @ 10V
    ±20V
    TO-220AB
    0.299Ohm
    26A
    289 mJ
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