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IPP60R165CPXKSA1备选型号: SPP24N60C3XKSA1
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- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N-CH 600V 21A TO-2208 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON21A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008e3yes不用于新设计1 (Unlimited)2Tin (Sn)600VSINGLE鸥翼未说明21A未说明4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET192WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING165m Ω @ 12A, 10V3.5V @ 790μA无卤素2000pF @ 100V52nC @ 10V5ns±20V21A20V600V522 mJROHS3 Compliant无铅---------- Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB8 Weeks通孔通孔TO-220-33-24.3A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2005--不用于新设计1 (Unlimited)--650V---24.3A------240W-13 nsN-Channel-160mOhm @ 15.4A, 10V3.9V @ 1.2mA无卤素3000pF @ 25V135nC @ 10V21ns±20V24.3A20V600V-ROHS3 Compliant无铅TO-220-3150°C-55°C650V14 ns650V3nF140mOhm160 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP26NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 | 对比 |
| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | 对比 |
| SPP24N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB | 对比 |
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