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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥81.982961
10
¥77.342416
100
¥72.964543
500
¥68.834475
1000
¥64.938184
Infineon Technologies SPP24N60C3XKSA1
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- 对比
SPP24N60C3XKSA1
1211-SPP24N60C3XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
立即发货

Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SPP24N60C3XKSA1详情
Infineon Technologies SPP24N60C3XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
24.3A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
240W Tc
Turn Off Delay Time
140 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2005
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
650V
额定电流
24.3A
功率耗散
240W
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
160mOhm @ 15.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 1.2mA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
135nC @ 10V
上升时间
21ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
14 ns
连续放电电流(ID)
24.3A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
漏源击穿电压
650V
输入电容
3nF
漏源电阻
140mOhm
最大rds
160 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SPP24N60C3XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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