IPP60R180C7XKSA1备选型号: IPP60R280P6XKSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 最大结点温度(Tj)
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 质量
  • 上升时间
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    PG-TO220-3-1
    13A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1
    68W
    9.3 ns
    N-Channel
    180mOhm @ 5.3A, 10V
    4V @ 260μA
    无卤素
    1080pF @ 400V
    24nC @ 10V
    600V
    ±20V
    13A
    20V
    600V
    600V
    1.08nF
    150°C
    155mOhm
    180 mΩ
    20.7mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    INFINEON IPP60R280P6Power MOSFET, N Channel, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    PG-TO220-3
    13.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1
    104W
    12 ns
    N-Channel
    280mOhm @ 6.5A, 10V
    3.5V @ 430μA
    无卤素
    950pF @ 100V
    43nC @ 10V
    600V
    ±20V
    13.8A
    20V
    600V
    600V
    950pF
    -
    252mOhm
    280 mΩ
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    6.000006g
    6ns
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 对比
IPP60R280C6XKSA1 IPP60R280C6XKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-220-3 Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3 Tab) TO-220 对比
IPP60R280P6XKSA1 IPP60R280P6XKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-220-3 INFINEON IPP60R280P6Power MOSFET, N Channel, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V 对比