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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥18.636954
10
¥17.582032
100
¥16.586823
500
¥15.647946
1000
¥14.762213
Infineon Technologies IPP60R180C7XKSA1
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- 对比
IPP60R180C7XKSA1
1211-IPP60R180C7XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPP60R180C7XKSA1详情
Infineon Technologies IPP60R180C7XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
PG-TO220-3-1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
68W Tc
Turn Off Delay Time
50 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™ C7
已出版
2008
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
功率耗散
68W
接通延迟时间
9.3 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
180mOhm @ 5.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 260μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1080pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
24nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
13A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
漏源击穿电压
600V
输入电容
1.08nF
最大结点温度(Tj)
150°C
漏源电阻
155mOhm
最大rds
180 mΩ
高度
20.7mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPP60R180C7XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies







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