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首页 全部分类 IPP60R520C6XKSA1 vs IPP60R450E6

IPP60R520C6XKSA1备选型号: IPP60R450E6

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
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  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • JESD-30代码
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 场效应管技术
  • Infineon Technologies
    IPP60R520C6XKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    8.1A Tc
    3.5V @ 230μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2011
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    66W
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    520m Ω @ 2.8A, 10V
    无卤素
    512pF @ 100V
    23.4nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    14 ns
    8.1A
    TO-220AB
    20V
    600V
    0.52Ohm
    22A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon
    IPP60R450E6
    Infineon
    Trans MOSFET N-CH 650V 9.2A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    通孔
    -
    TO-220
    3
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    yes
    -
    -
    3
    -
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    74W
    11 ns
    -
    SWITCHING
    -
    无卤素
    -
    -
    9ns
    -
    10 ns
    9.2A
    -
    20V
    600V
    0.45Ohm
    26A
    符合RoHS标准
    无铅
    150°C
    -55°C
    R-PSFM-T3
    600V
    N-CHANNEL
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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