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IPP65R150CFDAAKSA1备选型号: IPP65R190CFDXKSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 资历状况
- 功率耗散
MOSFET N-CH 650V TO-220-318 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON22.4A Tc-40°C~150°C TJTubeAutomotive, AEC-Q101, CoolMOS™2008e3no活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)HIGH RELIABILITYSINGLE未说明not_compliant未说明3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET12.4 nsN-ChannelSWITCHING150m Ω @ 9.3A, 10V4.5V @ 900μA无卤素2340pF @ 100V86nC @ 10V7.6ns±20V5.6 ns22.4ATO-220AB20V650V0.15Ohm72A614 mJROHS3 Compliant含铅---- MOSFET N-CH 650V 17.5A TO22018 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON17.5A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008e3yes活跃1 (Unlimited)3--SINGLE未说明-未说明3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET12 nsN-ChannelSWITCHING190m Ω @ 7.3A, 10V4.5V @ 730μA无卤素1850pF @ 100V68nC @ 10V8.4ns±20V6.4 ns17.5ATO-220AB20V650V-57.2A484 mJROHS3 Compliant无铅Tin不合格151W
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP34NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Mosfet Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.092 Ohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: Yes | 对比 |
| IPP65R190CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 | 对比 |
| IPP65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 | 对比 |
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