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IPP65R150CFDAAKSA1备选型号: STP34NM60N
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 底架
- 安装类型
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 650V TO-220-318 WeeksTO-220-3通孔通孔3SILICON14.5V @ 900μA2008-40°C~150°C TJTubeAutomotive, AEC-Q101, CoolMOS™e3no活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)HIGH RELIABILITYSINGLE未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET12.4 nsN-ChannelSWITCHING150m Ω @ 9.3A, 10V无卤素2340pF @ 100V86nC @ 10V7.6ns±20V5.6 ns22.4ATO-220AB20V650V0.15Ohm72A614 mJnot_compliantROHS3 Compliant含铅-----------
Mosfet Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.092 Ohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: Yes16 WeeksTO-220-3通孔通孔3SILICON29A Tc4V @ 250μA-150°C TJTubeMDmesh™ IIe3-ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)1 (Unlimited)3Tin (Sn)-----增强型MOSFET17 nsN-ChannelSWITCHING105m Ω @ 14.5A, 10V-2722pF @ 100V80nC @ 10V34ns±25V70 ns29ATO-220AB25V----无SVHCROHS3 Compliant无铅EAR99105MOhmSTP34NSingle210W3V600V15.75mm10.4mm4.6mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STP34NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Mosfet Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.092 Ohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: Yes | 对比 |
| IPP65R190CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 | 对比 |
| IPP65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 | 对比 |
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