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首页 全部分类 IPP65R150CFDAAKSA1 vs STP34NM60N

IPP65R150CFDAAKSA1备选型号: STP34NM60N

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPP65R150CFDAAKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V TO-220-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    22.4A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
    2008
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    12.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 9.3A, 10V
    4.5V @ 900μA
    无卤素
    2340pF @ 100V
    86nC @ 10V
    7.6ns
    ±20V
    5.6 ns
    22.4A
    TO-220AB
    20V
    650V
    0.15Ohm
    72A
    614 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP34NM60N
    STMicroelectronics
    Mosfet Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.092 Ohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: Yes
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    29A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    105m Ω @ 14.5A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    2722pF @ 100V
    80nC @ 10V
    34ns
    ±25V
    70 ns
    29A
    TO-220AB
    25V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    EAR99
    105MOhm
    STP34N
    Single
    210W
    3V
    600V
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
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