IPP65R150CFDXKSA1备选型号: IPP65R190E6XKSA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 资历状况
- 元素配置
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube18 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON22.4A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008e3yes活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)SINGLE未说明未说明3R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET12.4 nsN-ChannelSWITCHING150m Ω @ 9.3A, 10V4.5V @ 900μA无卤素2340pF @ 100V86nC @ 10V7.6ns±20V5.6 ns22.4ATO-220AB30V650V72AROHS3 Compliant无铅--------
- MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220-312 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON20.2A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3Tin (Sn)-未说明未说明3--增强型MOSFET12 nsN-ChannelSWITCHING190m Ω @ 7.3A, 10V3.5V @ 730μA无卤素1620pF @ 100V73nC @ 10V-±20V-20.2ATO-220AB30V650V66AROHS3 Compliant无铅3不合格Single0.19Ohm485 mJ15.95mm10.36mm4.57mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 | 对比 |
| FCP25N60N-F102 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP25N60N_F102 MOSFET, N CH, 600V, 25A, TO220 | 对比 | |
![]() | STP31N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 22A TO-220 | 对比 |




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